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美光开发vHBM，散热与成本或限制应用
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AI 综述
美光正在开发将DRAM堆叠在处理器上方的垂直高带宽内存（vHBM），目标于2028年开始量产，意在缩短数据传输路径并提升频宽。法国巴黎银行分析师指出，垂直堆叠可能妨碍处理器散热，因此预计vHBM将与传统HBM并行使用；其应用范围取决于性能优势能否抵销成本，以及散热和功耗挑战。报道还称，美光短期获利主要来自HBM、服务器DRAM和企业级固态硬盘等业务。
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最新进展10月24日 01:40 美东
美光vHBM目标于2028年量产，散热、成本及功耗挑战或限制应用范围。报道时间线
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10月24日
- 鉅亨網 · 美股雷達美光vHBM瞄准2028年量产，散热难题或影响应用范围
美光正在开发将DRAM堆叠于处理器上方的vHBM，目标于2028年开始量产，旨在缩短数据传输路径并提升频宽。法国巴黎银行分析师指出，垂直堆叠可能妨碍处理器散热，因此vHBM预计将与传统HBM并行使用，其应用仍取决于性能优势能否抵销成本及散热、功耗挑战。报道还称，美光短期获利主要来自HBM、服务器DRAM和企业级固态硬盘等业务。
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