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美光vHBM瞄准2028年量产,散热难题或影响应用范围
美光下一代AI記憶體突破面臨散熱難題!vHBM瞄準2028年量產、頻寬升級成關鍵
AI 导读
美光正在开发将DRAM堆叠于处理器上方的vHBM,目标于2028年开始量产,旨在缩短数据传输路径并提升频宽。法国巴黎银行分析师指出,垂直堆叠可能妨碍处理器散热,因此vHBM预计将与传统HBM并行使用,其应用仍取决于性能优势能否抵销成本及散热、功耗挑战。报道还称,美光短期获利主要来自HBM、服务器DRAM和企业级固态硬盘等业务。
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