热点事件持续更新
英飞凌投资奥地利建设300毫米GaN量产基地
1 篇报道1 个报道来源2 小时前更新
先了解这件事
AI 综述
2026年10月28日，英飞凌宣布将在奥地利菲拉赫既有厂区升级设施，建设采用300毫米晶圆的GaN功率半导体量产基地，计划至2034年累计投资约11亿欧元，新产线预计于2027年底启动生产。项目已获欧盟执委会批准3.19亿欧元国家补助，但正式补助承诺仍待奥地利主管机关完成程序。英飞凌称，300毫米晶圆单片可生产的芯片数量约为200毫米晶圆的2.3倍；实际成本优势取决于良率、设备利用率及市场需求。
AI 根据报道生成 · 2 小时前更新
最新进展10月28日 16:30 美东
英飞凌宣布投资约11亿欧元建设奥地利300毫米GaN量产基地，预计2027年底投产。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月28日
- 鉅亨網 · 美股雷達精选英飞凌计划投资约11亿欧元在奥地利建设300毫米GaN量产基地，预计2027年底投产
英飞凌宣布将在奥地利菲拉赫既有厂区升级设施，建设采用300毫米晶圆的GaN功率半导体量产基地，计划至2034年累计投资约11亿欧元，新产线预计于2027年底启动生产。该项目已获欧盟执委会批准3.19亿欧元国家补助，正式补助承诺仍待奥地利主管机关完成程序；公司称300毫米晶圆单片可生产的芯片数量约为200毫米晶圆的2.3倍，实际成本优势取决于良率、设备利用率及市场需求。
本事件热度走势
还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。