英飞凌计划投资约11亿欧元在奥地利建设300毫米GaN量产基地，预计2027年底投产

英飞凌宣布将在奥地利菲拉赫既有厂区升级设施，建设采用300毫米晶圆的GaN功率半导体量产基地，计划至2034年累计投资约11亿欧元，新产线预计于2027年底启动生产。该项目已获欧盟执委会批准3.19亿欧元国家补助，正式补助承诺仍待奥地利主管机关完成程序；公司称300毫米晶圆单片可生产的芯片数量约为200毫米晶圆的2.3倍，实际成本优势取决于良率、设备利用率及市场需求。