三星SK海力士在美出口管制下升级中国工厂

三星和SK海力士正在升级位于中国的工厂以生产更先进的存储芯片，三星西安工厂将NAND闪存层数从约200层提升至286层，SK海力士大连工厂计划从192层提升至240层以上。三星表示此举符合美国出口规则且不增加产能或新设施，SK海力士则面临北京要求增产与华盛顿限制升级的双重压力。